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半導體中的干蝕刻如何理解

更新時間:2020-08-31   點擊次數:2084次

干蝕刻是一類較新型,但迅速為半導體工業所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約100.001Torr的環境下,才有可能被激發出來;而干蝕刻采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性*,均能達成蝕刻的目的。干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學反應」(chemicalreaction)兩部份蝕刻機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏「化學反應」效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經激發出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質反應。干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其重要的優點,能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高蝕刻率兩種優點,換言之,本技術中所謂「活性離子蝕刻」(reactiveionetch;RIE)已足敷「次微米」線寬制程技術的要求,而正被大量使用中。

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