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集成電路制造工藝

更新時間:2020-10-19   點擊次數:1338次

芯片廠中通常分為擴散區、光刻區、刻蝕區、離子注入區、薄膜生長區和拋光區6個生產區域:

?擴散區是進行高溫工藝及薄膜積淀的區域,主要設備是高溫爐和濕法清洗設備;

②光刻區是芯片制造的心臟區域,使用黃色熒光管照明,目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上;  

③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下的圖形;

④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質的氣體;高能雜質離子穿透涂膠硅片的表面,形成目標硅片;

⑤薄膜生長主要負責生產各個步驟中的介質層與金屬層的淀積。

⑥拋光,即CMP(化學機械平坦化)工藝的目的是使硅片表面平坦化。

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