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光刻膠軟烘

更新時間:2020-11-23   點擊次數:1738次

軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強光刻膠的粘附性、釋放旋轉涂膠產生的內應力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進行,軟烘設備工作原理如圖2.17所示,硅片放在真空熱板上,熱量從硅片背面通過熱傳導方式加熱光刻膠。一般軟烘溫度為85~120℃,時間為30~60S。軟烘后將硅片轉移到軌道系統的冷板上冷卻以便下一步操作。

以光學紫外曝光為例,首先將硅片定位在光學系統的聚焦范圍內,硅片的對準標記與掩模版上相匹配的標記對準后,紫外光通過光學系統和掩模版圖形進行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現在硅片上,這樣光刻膠就曝光了。

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